WaferPro 現在提供優質的絕緣體上硅 （SOI） 晶圓，擴展了我們全面的硅晶圓產品。我們的頂級 SOI 晶圓針對從傳感器到功率元件的各種應用進行了優化。
與 CMOS 器件相比，在 SOI 晶圓上制造的芯片速度提高了 30%，功耗降低了 80%。SOI 結構由三層組成：用于晶體管制造的頂部有源器件層、埋層氧化物 （BOX） 絕緣層和底部手柄晶圓層。
BOX 對精密設備進行絕緣，保護它們免受環境干擾，同時提高性能。內置于頂層器件層的晶體管推動了 SOI 技術的速度和效率提升。它們允許復雜的節能配置，并減少宇宙射線或輻射造成的數據丟失。
隨著 SOI 晶圓的加入，WaferPro 現在為尋求下一代創新的研發團隊和制造商提供了這種先進的襯底選項。我們的 SOI 晶圓將尖端設計潛力與我們久經考驗的晶圓制造質量相結合。
SOI 硅片的類型
厚SOI晶圓：1um-300um
超薄SOI晶圓:<500nm
均勻SOI晶圓: 厚款：+-0.5um/薄款：+-10nm
扁平SOI晶圓:BOW/WARP/TTV
SOI 晶圓具有很強的可定制性，并且參數可根據您的需要非常靈活。
| SOI 餐廳 | 直徑 | 2 英寸（50.8 毫米） | 3 英寸（76.2 毫米） | 4 英寸（100 毫米） | 5 英寸（125 毫米） | 6 英寸（150 毫米） | 8 英寸（200 毫米） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 設備層 | 類型 | P ， N ， 內在的 | |||||
| 摻雜 | B ， Ph ， 未摻雜 | ||||||
| 取向 | ( 1-0-0 ) , ( 1-1-1 ) | ||||||
| 電阻率 （ohm-cm） | 0.001 – 10,000+ | ||||||
| 厚度 （μm） | 0.05 – 300 | ||||||
| 均勻 | ± 10nm ， ± 0.5μm ， ± 1μm | ||||||
| BOX 層 | BOX 厚度 | 1,000 安培 – 3 微米 | |||||
| BOX 均勻性 | ≤ ± 5 % | ||||||
| 手柄層 | 類型 | P ， N ， 內在的 | |||||
| 摻雜 | B ， Ph ， 未摻雜 | ||||||
| 取向 | ( 1-0-0 ) , ( 1-1-1 ) | ||||||
| 電阻率 （ohm-cm） | 0.001 – 10,000+ | ||||||
| 厚度 （μm） | 200 – 750 | ||||||
| 均勻度 （μm） | ≤ ± 15 | ||||||
| 完成 | SSP 、 DSP | ||||||
