WaferPro 提供從 2 英寸到 300 毫米的所有直徑的高質(zhì)量硅熱氧化物晶圓。我們通過(guò)選擇優(yōu)質(zhì)且無(wú)缺陷的硅晶片作為襯底來(lái)確保滿足您的特定要求，以便在爐中形成高度均勻的熱氧化物層。
在微技術(shù)中，使用的主要絕緣材料是二氧化硅，在化學(xué)符號(hào)中寫為 SiO2。為了產(chǎn)生絕緣氧化層，使用了熱氧化，這是獲得該層最常用的技術(shù)。獲得該層的過(guò)程是在熔爐中進(jìn)行的。
可以訂購(gòu)任意數(shù)量的晶圓，最小批量訂購(gòu)量為 25 片晶圓。
熱氧化物的類型
在這種方法中，氫氣和高純度氧氣的混合物在 ~1000°C 下燃燒，從而產(chǎn)生水蒸氣。雖然這種方法可能無(wú)法產(chǎn)生非常高質(zhì)量的最終產(chǎn)品，并且只能用作掩蔽層，但它的優(yōu)勢(shì)在于它產(chǎn)生比干式氧化更高的生長(zhǎng)速率。
晶圓兩側(cè)的濕熱氧化物
薄膜厚度:兩側(cè) 500A-10um薄
膜厚度公差: ±5%
薄膜應(yīng)力:-320+50 MPa 壓縮
晶圓單側(cè)的濕熱氧化物
薄膜厚度:兩側(cè) 500A-10.000A
薄膜厚度公差: ±5%
薄膜應(yīng)力:-320+50 MPa 壓縮
晶片兩側(cè)干燥的熱氧化物
薄膜厚度:兩側(cè) 100A-3,000A
薄膜厚度公差: ±5%
薄膜應(yīng)力:-320+50 MPa 壓縮
晶圓單側(cè)干燥的熱氧化物
薄膜厚度:兩側(cè) 100A-3.000
薄膜厚度公差: ±5%
薄膜應(yīng)力:-320+50 MPa 壓縮
干法氯化熱氧化物與成型氣體退火
薄膜厚度:兩側(cè) 100A-3,000A
薄膜厚度公差:目標(biāo) ±5%
薄膜應(yīng)力:-320+50 MPa
壓縮面工藝:兩側(cè)
二氧化硅晶片作為對(duì)現(xiàn)代半導(dǎo)體至關(guān)重要的高質(zhì)量介電材料，發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。與半導(dǎo)體金屬相比，SiO2 無(wú)與倫比的絕緣性能可實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的器件幾何形狀并增強(qiáng)性能。氧化層還有助于在納米級(jí)制造過(guò)程中進(jìn)行選擇性蝕刻和掩蔽作。
除了半導(dǎo)體之外，氧化物晶片還作為防潮層、結(jié)構(gòu)部件或鈍化層集成到微機(jī)電系統(tǒng) （MEMS） 中。我們的氧化物晶圓質(zhì)量確保 MEMS 工程師能夠依靠二氧化硅的機(jī)械彈性來(lái)制造復(fù)雜的機(jī)械結(jié)構(gòu)和流體系統(tǒng)。
對(duì)于任何需要可靠二氧化硅晶圓的應(yīng)用，請(qǐng)相信 WaferPro 的專業(yè)工程和嚴(yán)格的質(zhì)量保證。立即聯(lián)系我們的客戶服務(wù)團(tuán)隊(duì)，討論我們的單面和雙面氧化物晶圓如何為您的下一次創(chuàng)新提供動(dòng)力。
