WaferPro 測試硅片/晶圓 Monitor 或 Dummy 晶圓
WaferPro PRIME SEMI 標準硅片晶圓 直徑50mm到 300mm
硅晶片是各種應用的基礎，尤其是在電子制造中。作為現代技術的構建塊，它們提供了構建電路的基板。
測試硅片
也稱為 Monitor 或 Dummy 晶圓。測試晶圓的規格比Prime 晶圓更寬或更寬松。它們可以是不符合所有規格的Prime 晶圓，因此被歸類為 Prime 晶圓。
應用:·設備設置和測試·生產過程評估·工藝開發等。
Dummy 晶圓（虛擬晶圓）
Dummy Wafer 是不含電路結構或不用于最終產品的晶圓，主要用于以下目的：
設備調試：在正式生產前用于測試設備參數和穩定性。
工藝開發：測試新制程時使用，節省成本。
保護作用：
在晶圓批次（lot）中放在最前和最后，保護中間的產品晶圓。
減少化學腐蝕、離子污染等對真正產品晶圓的影響。
熱力學均衡：有助于在爐管擴散、CVD 等熱處理時保持熱分布一致
Monitor 晶圓（監測晶圓）
Monitor Wafer 是用于在線或離線分析的晶圓，通常也不是最終產品，但上面會經歷實際工藝步驟，以監測生產狀況或質量。
用途：
監控設備健康狀態：檢查沉積厚度、蝕刻速率、顆粒污染、膜層應力等。
制程穩定性驗證：放在每個批次中進行工藝一致性驗證。
過程控制：用于統計過程控制（SPC），例如圖案失真、膜厚控制等。
失效分析（FA）：如果 Monitor wafer 出現異常，可以幫助判斷問題出在哪個制程步驟
| 直徑 | 2 英寸（50.8 毫米） | 3 英寸（76.2 毫米） | 4 英寸（100 毫米） | 5 英寸（125 毫米） | 6 英寸（150 毫米） | 8 英寸（200 毫米） | 12 英寸（300 毫米） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 類型 | P、N、內在函數 | ||||||
| 摻雜 | 硼 （B）， 磷 （Ph）， 銻 （Sb）， 砷 （As）， 未摻雜 | ||||||
| 取向 | （1-0-0）、（1-1-1）、（1-1-0）、自定義 | ||||||
| 電阻率 （ohm-cm） | 0.001 – 30,000+ | ||||||
| 厚度 （um） | 20 – 2,000+ | ||||||
| 平面/缺口 | 無平， SEMI 主要平屋， Jeida 平屋， 2 個 SEMI 平屋， 缺口 | ||||||
| 完成 | SSP、DSP、蝕刻、研磨 | ||||||
SEMI 標準規格
| 直徑 | 2 英寸（50.8 毫米） | 3 英寸（76.2 毫米） | 4 英寸（100 毫米） | 5 英寸（125 毫米） | 6 英寸（150 毫米） | 8 英寸（200 毫米） | 12 英寸（300 毫米） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 直徑 | 50.8 ± 0.38 毫米 | 76.2 ± 0.63 毫米 | 100 ± 0.5 毫米 | 125 ± 0.5 毫米 | 150 ± 0.2 毫米 | 200 ± 0.2 毫米 | 300 ± 0.2 毫米 |
| 厚度 | 279 ± 25 微米 | 381 ± 25 微米 | 525 ± 20 μm 或 625 ± 20 μm | 625 ± 20 微米 | 675 ± 20 μm 或 625 ± 15 μm | 725 ± 20 微米 | 775 ± 20 微米 |
| 主平地長度 | 15.88 ± 1.65 毫米 | 22.22 ± 3.17 毫米 | 32.5 ± 2.5 毫米 | 42.5 ± 2.5 毫米 | 57.5 ± 2.5 毫米 | 缺口 | 缺口 |
| 次級平鋪長度 | 8 ± 1.65 毫米 | 11.18 ± 1.52 毫米 | 18 ± 2.0 毫米 | 27.5 ± 2.5 毫米 | 37.5 ± 2.5 毫米 | 那 | 那 |
| 主要平地/缺口位置 | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° | （110） ± 1° |
