WaferPro 提供優質的浮球區 （FZ） 硅晶片，以滿足不斷增長的純度需求。FZ Silicon 具有極低的氧和碳雜質，可為關鍵應用提供無與倫比的質量。
這些晶圓針對太陽能芯片、射頻電路、精密功率器件和太赫茲計算進行了優化，為尖端創新提供了動力。其超純單晶結構增強了電氣特性，可實現高精度電流控制和復雜功能。
無論是通過提高靈敏度實現下一代傳感器，還是將功率設備推向新的水平，我們的浮球區晶圓都是追求硅性能極限的客戶的理想選擇。由于新興技術需要更高的速度、效率和功能，因此依靠 WaferPro 的浮區硅將愿景變為現實。
我們致力于滿足最嚴格的純度規格，我們提供FZ 晶圓準備好在現在和未來幾年推動高科技行業的未來。
可選類型
高電阻率浮區硅片是最常見的 FZ 晶片類型。它們由電阻率大于 1,000 ohm-cm 的高純度 FZ 錠制成。這些晶圓非常適合 RF MEMS 開關、發射器和接收器芯片以及微波和毫米波電路和設備。
未摻雜浮子區 (FZ) 硅晶片是使用浮子區方法生長的硅襯底，沒有故意引入摻雜劑原子。它們是本征型的，具有大于 10,000 ohm-cm 的高電阻率。
NTD FZ 晶片由未摻雜的高純度 FZ 錠制成，這些錠使用中子嬗變摻雜摻雜工藝進行摻雜。這會產生電阻率范圍較低但更嚴格的 N 型材料。這些晶片用于制造半導體功率器件的組件
氣體摻雜 FZ 晶片由 F2 鑄錠制成，該鑄錠有意摻雜了在熔融界面處引入的氣態摻雜劑。這個過程沿鑄錠的長度提供了良好的均勻性。
FZ 晶圓具有很強的可定制性，并且參數可根據您的需要非常靈活。
| 直徑 | 2 英寸（50.8 毫米） | 3 英寸（76.2 毫米） | 4 英寸（100 毫米） | 5 英寸（125 毫米） | 6 英寸（150 毫米） | 8 英寸（200 毫米） | 12 英寸（300 毫米） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 類型 | P、N、內在函數 | ||||||
| 摻雜 | 硼 （B）， 磷 （Ph）， 未摻雜 | ||||||
| 取向 | （1-0-0）、（1-1-1）、（1-1-0）、自定義 | ||||||
| 電阻率 （ohm-cm） | 1 – 30,000+ | ||||||
| 厚度 （um） | 20 – 2,000+ | ||||||
| 平面/缺口 | 無平， SEMI 主要平屋， Jeida 平屋， 2 個 SEMI 平屋， 缺口 | ||||||
| 完成 | SSP、DSP | ||||||
憑借數十年制作浮法區晶圓的專業知識，WaferPro 提供您可以信賴的無與倫比的質量。我們技術嫻熟的工程師對很少有人能夠復制的復雜制造工藝進行了微調，在不影響結構完整性的情況下精心設計了超純生長。FZ 硅片具有以下特點：
- 卓越的均勻性：WaferPro FZ 晶圓的雜質和缺陷密度極少，可在最重要的地方提供一致的性能。
- 無與倫比的定制：我們根據您的確切應用需求定制氧含量、電阻率、晶體取向、厚度和直徑。
- 保證可靠性：嚴格的質量控制驗證了晶圓的完整性，以實現可靠的長期功能。
當您需要針對您的前沿要求進行優化的可靠浮區硅時，請選擇 20 多年來專注于完善這些晶圓的專家。WaferPro 擁有卓越的技術專長和卓越的制造能力，可以滿足您所有的 FZ 晶圓需求。
