WaferPro 提供從 2 英寸到 300 毫米的所有直徑的高質量硅熱氧化物晶圓。我們通過選擇優質且無缺陷的硅晶片作為襯底來確保滿足您的特定要求，以便在爐中形成高度均勻的熱氧化物層。
在微技術中，使用的主要絕緣材料是二氧化硅，在化學符號中寫為 SiO2。為了產生絕緣氧化層，使用了熱氧化，這是獲得該層最常用的技術。獲得該層的過程是在熔爐中進行的。
可以訂購任意數量的晶圓，最小批量訂購量為 25 片晶圓。
熱氧化物的類型
在這種方法中，氫氣和高純度氧氣的混合物在 ~1000°C 下燃燒，從而產生水蒸氣。雖然這種方法可能無法產生非常高質量的最終產品，并且只能用作掩蔽層，但它的優勢在于它產生比干式氧化更高的生長速率。
晶圓兩側的濕熱氧化物
薄膜厚度:兩側 500A-10um薄
膜厚度公差: ±5%
薄膜應力:-320+50 MPa 壓縮
晶圓單側的濕熱氧化物
薄膜厚度:兩側 500A-10.000A
薄膜厚度公差: ±5%
薄膜應力:-320+50 MPa 壓縮
晶片兩側干燥的熱氧化物
薄膜厚度:兩側 100A-3,000A
薄膜厚度公差: ±5%
薄膜應力:-320+50 MPa 壓縮
晶圓單側干燥的熱氧化物
薄膜厚度:兩側 100A-3.000
薄膜厚度公差: ±5%
薄膜應力:-320+50 MPa 壓縮
干法氯化熱氧化物與成型氣體退火
薄膜厚度:兩側 100A-3,000A
薄膜厚度公差:目標 ±5%
薄膜應力:-320+50 MPa
壓縮面工藝:兩側
二氧化硅晶片作為對現代半導體至關重要的高質量介電材料，發揮著至關重要的作用。與半導體金屬相比，SiO2 無與倫比的絕緣性能可實現復雜的器件幾何形狀并增強性能。氧化層還有助于在納米級制造過程中進行選擇性蝕刻和掩蔽作。
除了半導體之外，氧化物晶片還作為防潮層、結構部件或鈍化層集成到微機電系統 （MEMS） 中。我們的氧化物晶圓質量確保 MEMS 工程師能夠依靠二氧化硅的機械彈性來制造復雜的機械結構和流體系統。
對于任何需要可靠二氧化硅晶圓的應用，請相信 WaferPro 的專業工程和嚴格的質量保證。立即聯系我們的客戶服務團隊，討論我們的單面和雙面氧化物晶圓如何為您的下一次創新提供動力。
