WaferPro 現(xiàn)在提供優(yōu)質(zhì)的絕緣體上硅 （SOI） 晶圓，擴(kuò)展了我們?nèi)娴墓杈A產(chǎn)品。我們的頂級 SOI 晶圓針對從傳感器到功率元件的各種應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
與 CMOS 器件相比，在 SOI 晶圓上制造的芯片速度提高了 30%，功耗降低了 80%。SOI 結(jié)構(gòu)由三層組成：用于晶體管制造的頂部有源器件層、埋層氧化物 （BOX） 絕緣層和底部手柄晶圓層。
BOX 對精密設(shè)備進(jìn)行絕緣，保護(hù)它們免受環(huán)境干擾，同時提高性能。內(nèi)置于頂層器件層的晶體管推動了 SOI 技術(shù)的速度和效率提升。它們允許復(fù)雜的節(jié)能配置，并減少宇宙射線或輻射造成的數(shù)據(jù)丟失。
隨著 SOI 晶圓的加入，WaferPro 現(xiàn)在為尋求下一代創(chuàng)新的研發(fā)團(tuán)隊和制造商提供了這種先進(jìn)的襯底選項。我們的 SOI 晶圓將尖端設(shè)計潛力與我們久經(jīng)考驗的晶圓制造質(zhì)量相結(jié)合。
SOI 硅片的類型
厚SOI晶圓：1um-300um
超薄SOI晶圓:<500nm
均勻SOI晶圓: 厚款：+-0.5um/薄款：+-10nm
扁平SOI晶圓:BOW/WARP/TTV
SOI 晶圓具有很強(qiáng)的可定制性，并且參數(shù)可根據(jù)您的需要非常靈活。
| SOI 餐廳 | 直徑 | 2 英寸（50.8 毫米） | 3 英寸（76.2 毫米） | 4 英寸（100 毫米） | 5 英寸（125 毫米） | 6 英寸（150 毫米） | 8 英寸（200 毫米） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 設(shè)備層 | 類型 | P ， N ， 內(nèi)在的 | |||||
| 摻雜 | B ， Ph ， 未摻雜 | ||||||
| 取向 | ( 1-0-0 ) , ( 1-1-1 ) | ||||||
| 電阻率 （ohm-cm） | 0.001 – 10,000+ | ||||||
| 厚度 （μm） | 0.05 – 300 | ||||||
| 均勻 | ± 10nm ， ± 0.5μm ， ± 1μm | ||||||
| BOX 層 | BOX 厚度 | 1,000 安培 – 3 微米 | |||||
| BOX 均勻性 | ≤ ± 5 % | ||||||
| 手柄層 | 類型 | P ， N ， 內(nèi)在的 | |||||
| 摻雜 | B ， Ph ， 未摻雜 | ||||||
| 取向 | ( 1-0-0 ) , ( 1-1-1 ) | ||||||
| 電阻率 （ohm-cm） | 0.001 – 10,000+ | ||||||
| 厚度 （μm） | 200 – 750 | ||||||
| 均勻度 （μm） | ≤ ± 15 | ||||||
| 完成 | SSP 、 DSP | ||||||
