WaferPro Si3N4 氮化硅晶圓

WaferPro Si3N4 氮化硅晶圓

WaferPro 為您的需求提供了多種薄膜加工選項。這包括 LPCVD 氮化物,WaferPro 可以為晶圓提供化學計量 LPCVD 氮化物或低應力 LPCVD 氮化物,以及超低應力 LPCVD 氮化物。我們還提供高質量的 PECVD 氮化物、低應力 PECVD 氮化物和 PECVD 氧氮化物。晶圓直徑為 2 英寸至 300 毫米,氮化物厚度為 100? 至 20,000?。

可以訂購任意數量的晶圓,最小批量訂購量為 25 片晶圓。

LPCVD 和 PECVD 氮化物的類型

LPCVD 氮化物 – 低壓化學氣相沉積氮化物

– 同時應用于晶圓的兩側。

– 在溫度不關鍵的地方使用。

– 更高的溫度過程,導致更穩定、更高純度的薄膜。

PECVD 氮化物 – 等離子體增強化學氣相沉積氮化物

– 僅應用于晶圓的一側。

– 更適合需要低溫工藝時。

在 WaferPro,質量是氮化硅薄膜的重中之重。我們利用先進的低壓化學氣相沉積 (LPCVD) 和等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 工藝來生產氮化物薄膜,這些薄膜以其穩定性、一致性和對器件制造至關重要的出色物理特性而聞名。

通過對我們專有沉積技術的廣泛研究和持續改進,我們能夠優化關鍵的氮化物薄膜質量,如一致性、均勻厚度、低內在應力、高溫下的熱穩定性和精確的成分控制。因此,我們的 LPCVD 和 PECVD 氮化物薄膜可沿晶圓邊緣、高縱橫比特征以及結構化或圖案表面提供出色的臺階覆蓋率,同時保持無針孔完整性。

這種質量水平為我們的客戶提供了非常高的制造良率,并支持商業半導體生產所必需的可靠、可重復的器件性能。無論應用需要超低缺陷絕緣體、擴散屏障、機械增強層還是先進的介電材料,我們的氮化物薄膜都具有經過驗證的穩定性和一致性,可以滿足需求。

我們的專業技術銷售代表擁有數十年的綜合經驗,可幫助客戶為硅晶片制造和先進微電子器件提供 PECVD 和 LPCVD 氮化物薄膜解決方案。請立即聯系我們,討論我們的優質氮化物薄膜如何幫助您提高產量、降低成本并通過創新產品更快地進入市場。我們提供全球運輸,并準備為您的制造成功提供優質的氮化物薄膜!


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